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INTRINSIC AND FIELD-INDUCED ANISOTROPY OF SI-DOPED YIG FROM 4.2 TO 300 K
被引：3
作者：
CHURCHILL, RJ
FLANDERS, PJ
GRAHAM, CD
机构：
关键词：
D O I：
10.1063/1.1660288
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
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