DOPANT DEPENDENCE OF THE OXIDATION RATE OF ION-IMPLANTED SILICON

被引：25

作者：

GOTZLICH, JF

HABERGER, K

RYSSEL, H

KRANZ, H

TRAUMULLER, E

机构：

来源：

RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS | 1980年 / 47卷 / 1-4期

关键词：

D O I：

10.1080/00337578008209211

中图分类号：

TL [原子能技术]; O571 [原子核物理学];

学科分类号：

0827 ; 082701 ;

摘要：

引用

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页数：7