INFLUENCE OF HEAVY DOPING EFFECTS ON FT PREDICTION OF TRANSISTORS

被引：9

作者：

DEMAN, H ^{[1
]}

MERTENS, R ^{[1
]}

VANOVERS.R ^{[1
]}

机构：

[1] LAB FYS & ELEKTR HALFGELEIDERS,HEVERLEE 3030,BELGIUM

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1973年 / 9卷 / 8-9期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19730129

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：174 / 176

页数：3

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共 7 条

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