SOLUBILITY LIMIT OF IMPURITIES IN SILICON AFTER LASER-INDUCED MELTING

被引：25

作者：

STUCK, R

FOGARASSY, E

GROB, JJ

SIFFERT, P

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS | 1980年 / 23卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1007/BF00899564

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：15 / 19

页数：5

共 23 条

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