未找到相关数据
ENHANCED ALPHA IN FORMED SILICON POINT CONTRACT TRANSISTORS
被引：3
作者：
JACOBS, H
MATTHEI, W
BRAND, FA
机构：
关键词：
D O I：
10.1063/1.1721187
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
收藏
页码：1410 / 1411
页数：2
相关论文