Ferroelectric capacitor nondestructive readout memory

被引：1

作者：

Ramer, OG

Drab, J

Robinson, D

Nishimoto, D

机构：

来源：

INTEGRATED FERROELECTRICS | 1995年 / 11卷 / 1-4期

关键词：

D O I：

10.1080/10584589508013589

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

An infinite nondestructive read memory (NDRO) has been developed using a ferroelectric capacitor memory unit cell, the capacitance differential observed between a fully and partially polarized capacitor, a two transistor/two capacitor architecture and a modified latch sense amplifier.

引用

页码：171 / 177

页数：7