35 DEGREES K ANNEALING IN ELECTRON-IRRADIATED N-TYPE GERMANIUM

被引：4

作者：

BOURGOIN, J

MOLLOT, F

机构：

[1] Groupe de Physique des Solides, l'Ecole Normale Supérieure, Faculté des Sciences de Paris

来源：

PHYSICS LETTERS A | 1969年 / A 30卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1016/0375-9601(69)90894-9

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

The 35°K annealing stage in highly doped n-type germanium irradiated with electrons has been studied and interpreted as a vacancy-interstitial impurity" annihilation through diffusion of the interstitial. © 1969."

引用

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