FABRICATION OF LOW-NOISE SILICON RADIATION DETECTORS BY THE PLANAR PROCESS

被引:176
作者
KEMMER, J
机构
来源
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS | 1980年 / 169卷 / 03期
关键词
D O I
10.1016/0029-554X(80)90948-9
中图分类号
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号
0804 ; 080401 ; 081102 ;
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页数:4
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