A GALLIUM-PHOSPHIDE HIGH-TEMPERATURE BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR

被引：12

作者：

ZIPPERIAN, TE

DAWSON, LR

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1981年 / 39卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1063/1.92598

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：895 / 897

页数：3

相关论文

共 9 条

[1]

CHAFFIN RJ, 1980, SAND801763 SAND REP

[2]

CHAFFIN RJ, 1981, 1981 P IEEE C HIGH T, P55

[3]

EKNOYAN O, 1981, MATERIALS RES SOC P, V1

[4]

FRITZ IB, UNPUBLISHED

[5]

GOURLEY PL, 1981, B AM PHYS SOC, V26, P457

[6]

GREY PE, 1964, PHYSICAL ELECTRONICS, V2, P155

[7] SINGLE-STEP OPTICAL LIFT-OFF PROCESS [J].

HATZAKIS, M ;

CANAVELLO, BJ ;

SHAW, JM .

IBM JOURNAL OF RESEARCH AND DEVELOPMENT, 1980, 24 (04) :452-460

[8]

STRACK H, 1967, ELECTRONICS NOV, P119

[9]

1981, 1981 P C HIGH TEMP E