LOW-POWER DEPLETION MODE ION-IMPLANTED GAAS FET INTEGRATED-CIRCUITS

被引：7

作者：

EDEN, RC ^{[1
]}

WELCH, BM ^{[1
]}

机构：

[1] ROCKWELL INT,CTR SCI,THOUSAND OAKS,CA 91360

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1977年 / 24卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1977.18957

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1209 / 1210

页数：2

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共 3 条

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