HIGH BANDWIDTH PLANAR INP/INGAAS AVALANCHE PHOTODIODES

被引：1

作者：

EKHOLM, DT ^{[1
]}

GEARY, JM ^{[1
]}

HOLLENHORST, JN ^{[1
]}

MATTERA, VD ^{[1
]}

PAWELEK, R ^{[1
]}

机构：

[1] AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1988年 / 35卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1109/16.8843

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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共 1 条

[1] CAMPBELL JC, 1988, 8TH INT C INT OPT OP