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JUNCTION LEAKAGE CURRENT IN BF2+-IMPLANTED, RAPID-THERMAL-ANNEALED DIODES
被引：6
作者：
MIKOSHIBA, H
ABIKO, H
KANAMORI, M
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1986年
/
25卷
/
08期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.25.L631
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L631 / L633
页数：3
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