A MODEL FOR RADIATION-DAMAGE EFFECTS IN CARBON-DOPED CRYSTALLINE SILICON

被引:135
作者
DAVIES, G
LIGHTOWLERS, EC
NEWMAN, RC
OATES, AS
机构
关键词
D O I
10.1088/0268-1242/2/8/009
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
收藏
页码:524 / 532
页数:9
相关论文
empty
未找到相关数据