ANNEALING TEMPERATURE-DEPENDENCE OF PHOTOLUMINESCENCE IN N-IMPLANTED GAAS1-XPX (X = 0.36)

被引：11

作者：

MAKITA, Y ^{[1
]}

GONDA, S ^{[1
]}

机构：

[1] ELECTROTECH LAB,TANASHI,TOKYO,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1974年 / 13卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.13.565

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：565 / 566

页数：2

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