共 2 条
ANNEALING TEMPERATURE-DEPENDENCE OF PHOTOLUMINESCENCE IN N-IMPLANTED GAAS1-XPX (X = 0.36)
被引:11
作者:
MAKITA, Y
[1
]
GONDA, S
[1
]
机构:
[1] ELECTROTECH LAB,TANASHI,TOKYO,JAPAN
关键词:
D O I:
10.1143/JJAP.13.565
中图分类号:
O59 [应用物理学];
学科分类号:
摘要:
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页码:565 / 566
页数:2
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