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2-CARRIER PHOTOTHERMOELECTRIC EFFECTS IN GAAS
被引:40
作者
:
HARPER, JG
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HARPER, JG
MATTHEWS, HE
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MATTHEWS, HE
BUBE, RH
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BUBE, RH
机构
:
来源
:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1970年
/ 41卷
/ 07期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.1659387
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:3182 / &
相关论文
共 5 条
[1]
ALLEN GA, 1968, BRIT J APPL PHYS, V1, P593
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;
WEISBERG, LR
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WEISBERG, LR
.
NATURE,
1961,
192
(479)
:155
-&
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THE PREPARATION OF SEMI-INSULATING GALLIUM ARSENIDE BY CHROMIUM DOPING
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JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1964,
111
(07)
:874
-877
[4]
PHOTOTHERMOELECTRIC EFFECTS IN SEMICONDUCTORS - N- AND P-TYPE SILICON
[J].
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MATTHEWS, HE
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BUBE, RH
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BUBE, RH
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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1970,
41
(02)
:765
-&
[5]
EVIDENCE FOR PHOTOCHEMICAL CHANGES IN TRAPS IN CDS CRYSTALS
[J].
IM, HB
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IM, HB
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MATTHEWS, HE
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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1970,
41
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共 5 条
[1]
ALLEN GA, 1968, BRIT J APPL PHYS, V1, P593
[2]
ENERGY-LEVEL MODEL FOR HIGH-RESISTIVITY GALLIUM ARSENIDE
[J].
BLANC, J
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BLANC, J
;
WEISBERG, LR
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.
NATURE,
1961,
192
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:155
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[3]
THE PREPARATION OF SEMI-INSULATING GALLIUM ARSENIDE BY CHROMIUM DOPING
[J].
CRONIN, GR
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CRONIN, GR
;
HAISTY, RW
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HAISTY, RW
.
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1964,
111
(07)
:874
-877
[4]
PHOTOTHERMOELECTRIC EFFECTS IN SEMICONDUCTORS - N- AND P-TYPE SILICON
[J].
HARPER, JG
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HARPER, JG
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;
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BUBE, RH
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1970,
41
(02)
:765
-&
[5]
EVIDENCE FOR PHOTOCHEMICAL CHANGES IN TRAPS IN CDS CRYSTALS
[J].
IM, HB
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;
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.
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1970,
41
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