THERMALLY STIMULATED IONIC-CONDUCTION IN MOS (MO-SIO2-SI) STRUCTURES

被引：2

作者：

MANIFACIER, JC ^{[1
]}

PAROT, P ^{[1
]}

FILLARD, JP ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV MONTPELLIER 2,F-34060 MONTPELLIER,FRANCE

来源：

JOURNAL OF ELECTROSTATICS | 1977年 / 3卷 / 1-3期

关键词：

D O I：

10.1016/0304-3886(77)90092-4

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：203 / 212

页数：10

相关论文

empty

未找到相关数据