TOTAL DOSE HARDNESS OF MICROWAVE GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：8

作者：

NEWELL, DM

HO, PT

MENCIK, RL

PELOSE, JR

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1981年 / 28卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1981.4335738

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：4403 / 4406

页数：4

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共 4 条

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