STUDIES OF GROWTH KINETICS AND POLYTYPISM OF SILICON-CARBIDE EPITAXIAL LAYERS GROWN FROM VAPOR-PHASE

被引：32

作者：

TAIROV, YM ^{[1
]}

TSVETKOV, VF ^{[1
]}

LILOV, SK ^{[1
]}

SAFARALIEV, GK ^{[1
]}

机构：

[1] ELECTROTECH INST,197022 LENINGRAD,USSR

来源：

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 1976年 / 36卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(76)90226-8

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

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页码：147 / 151

页数：5

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共 5 条

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