SHIFT OF ELECTRON SPIN RESONANCE LINE IN PHOSPHORUS-DOPED SILICON

被引：9

作者：

MORIGAKI, K

MAEKAWA, S

机构：

[1] Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, Roppongi, Tokyo

[2] Electrotechnical Laboratory, Tanashi, Tokyo

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JPSJ.25.912

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

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