4160-BIT C4D SERIAL MEMORY

被引：5

作者：

KRAMBECK, RH ^{[1
]}

RETAJCZYK, TF ^{[1
]}

SILVERSMITH, DJ ^{[1
]}

STRAIN, RJ ^{[1
]}

机构：

[1] BELL TEL LABS INC, MURRAY HILL, NJ 07974 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1974.1050539

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：436 / 443

页数：8

共 6 条

[1] CHARGE COUPLED SEMICONDUCTOR DEVICES [J].

BOYLE, WS ;

SMITH, GE .

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1970, 49 (04) :587-+

[2]

KARP JA, 1972 INT SOL STAT CI

[3] CONDUCTIVELY CONNECTED CHARGE-COUPLED DEVICE [J].

KRAMBECK, RH ;

STRAIN, RJ ;

SMITH, GE ;

PICKAR, KA .

KRAMBECK, RH .

[5] DOPED SURFACE 2-PHASE CCD [J].

KRAMBECK, RH ;

WALDEN, RH ;

PICKAR, KA .

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1972, 51 (08) :1849-+

[6]

SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO, P115