OXYGEN PRECIPITATION IN SILICON AT 650-DEGREES-C

被引:12
作者
FREELAND, PE
机构
关键词
D O I
10.1149/1.2129745
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
摘要
引用
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页数:3
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