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OXYGEN PRECIPITATION IN SILICON AT 650-DEGREES-C
被引：12
作者：
FREELAND, PE
机构：
关键词：
D O I：
10.1149/1.2129745
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
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页码：754 / 756
页数：3
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