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OXYGEN PRECIPITATION IN SILICON AT 650-DEGREES-C
被引:12
作者
:
FREELAND, PE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
FREELAND, PE
机构
:
来源
:
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
|
1980年
/ 127卷
/ 03期
关键词
:
D O I
:
10.1149/1.2129745
中图分类号
:
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
:
081704 ;
摘要
:
引用
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页码:754 / 756
页数:3
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