SELF ANNEALING OF ION-IMPLANTED SILICON - SUGGESTION FOR AN EXPERIMENT

被引：8

作者：

MERLI, PG ^{[1
]}

ZIGNANI, F ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV BOLOGNA,FAC INGN,IST CHIM,I-40126 BOLOGNA,ITALY

来源：

RADIATION EFFECTS LETTERS | 1980年 / 50卷 / 3-6期

关键词：

D O I：

10.1080/01422448008218665

中图分类号：

TL [原子能技术]; O571 [原子核物理学];

学科分类号：

0827 ; 082701 ;

摘要：

Semiconductor materials

引用

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页数：4