NEW POLYTYPE OF SILICON CARBIDE 9T

被引：4

作者：

INOUE, Z

SUENO, S

TAGAI, T

INOMATA, Y

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(71)90139-4

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：179 / &

共 15 条

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NISHIDA T, IN PRESS