MICROWAVE PERMITTIVITY OF GAAS LATTICE AT TEMPERATURES BETWEEN 100 DEGREES K AND 600 DEGREES K

被引：13

作者：

LU, T

GLOVER, GH

CHAMPLIN, KS

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1652491

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：404 / &

共 6 条

CHAMPLIN, KS ;

GLOVER, GH .

CHAMPLIN, KS ;

HOLM, JD ;

GLOVER, GH .

[3]

CHAMPLIN KS, 1967, IEEE T MICROW THEORY, VMT15, P477

[4]

CHAMPLIN KS, 1968, IEEE T MICROWAVE THE, VMT16, P90

[5] MICROWAVE CONDUCTIVITY OF SILICON AND GERMANIUM [J].

HOLM, JD ;

CHAMPLIN, KS .

[6]

NOVIKOVA SI, 1961, SOV PHYS-SOL STATE, V3, P129