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SELECTIVELY DOPED N-GAINP/GAAS HETEROSTRUCTURES GROWN BY MOCVD
被引：21
作者：
TONE, K
NAKAYAMA, T
IECHI, H
OHTSU, K
KUKIMOTO, H
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1986年
/
25卷
/
06期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.25.L429
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L429 / L431
页数：3
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