MANUFACTURE OF THICK LITHIUM-DRIFTED SILICON DETECTORS

被引：18

作者：

RISTINEN, RA

LIND, DA

HOMAN, JL

机构：

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS | 1967年 / 56卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1016/0029-554X(67)90258-3

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：55 / +

页数：1

共 9 条

[1]

BARON N, D3554 NASA TECHN NOT

[2]

BLANKENSHIP JL, 1962, IRE, VNS9

CHASMAN, C ;

ALLEN, J .

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS, 1963, 24 (03) :253-255

[4]

DEARNALEY G, 1966, SEMICONDUCTOR COUNTE

[5]

GOULDING FS, 1965, UCRL16231

[6]

KRAUSHAAR JJ, TO BE PUBLISHED

LLACER, J .

[8]

MILLER GL, 1963, IEEE T NUCL SCI, VNS10, P220

[9]

TAYLOR JM, 1963, SEMICONDUCTOR PARTIC