PHOTOELECTRIC PROPERTIES OF IONICALLY BOMBARDED SILICON

被引：38

作者：

KINGSBURY, EF

OHL, RS

机构：

来源：

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL | 1952年 / 31卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1002/j.1538-7305.1952.tb01407.x

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：802 / 815

页数：14

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共 6 条

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