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ULTRA-THIN AMORPHOUS-SILICON TRANSISTORS FABRICATED BY 2-STEP DEPOSITION METHOD
被引：1
作者：
KATOH, Y
SUGIURA, O
TAKEUCHI, Y
MATSUMURA, M
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1986年
/
25卷
/
04期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.25.L309
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L309 / L312
页数：4
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