CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF PARA-GE-CDS HETEROJUNCTION DIODES

被引：8

作者：

DUNCAN, W ^{[1
]}

LAMB, J ^{[1
]}

MCINTOSH, KG ^{[1
]}

SMELLIE, AR ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV GLASGOW,DEPT ELECTR & ELECT ENGN,GLASGOW G12 8QQ,SCOTLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1654907

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：330 / 332

页数：3

相关论文

共 4 条

DUNCAN, W .

[2] SWITCHING AND MEMORY CHARACTERISTICS OF ZNSE-GE HETEROJUNCTIONS [J].

HOVEL, HJ ;

URGELL, JJ .

[3]

LUI YZ, 1969, APPL PHYS LETT, V14, P275

[4] TRANSPORT IN RELAXATION SEMICONDUCTORS [J].

VANROOSB.W ;

CASEY, HC .

PHYSICAL REVIEW B, 1972, 5 (06) :2154-&