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INTERLABORATORY COMPARISON OF INAA OF SEMICONDUCTOR SILICON
被引:4
作者
:
SCHULEPNIKOV, MN
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
VEB HALBLEITERWERK FRANKFURT,DIV RES,DDR-1533 STAHNSDORF,GER DEM REP
SCHULEPNIKOV, MN
RAUSCH, H
论文数:
0
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0
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机构:
VEB HALBLEITERWERK FRANKFURT,DIV RES,DDR-1533 STAHNSDORF,GER DEM REP
RAUSCH, H
DUBNACK, J
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机构:
VEB HALBLEITERWERK FRANKFURT,DIV RES,DDR-1533 STAHNSDORF,GER DEM REP
DUBNACK, J
BIRNSTEIN, D
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0
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机构:
VEB HALBLEITERWERK FRANKFURT,DIV RES,DDR-1533 STAHNSDORF,GER DEM REP
BIRNSTEIN, D
NIESE, S
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机构:
VEB HALBLEITERWERK FRANKFURT,DIV RES,DDR-1533 STAHNSDORF,GER DEM REP
NIESE, S
机构
:
[1]
VEB HALBLEITERWERK FRANKFURT,DIV RES,DDR-1533 STAHNSDORF,GER DEM REP
[2]
HUNGARIAN ACAD SCI,CENT RES INST PHYS,H-1525 BUDAPEST,HUNGARY
[3]
CENT INST NUCL RES ROSSENDORF,DDR-8051 DRESDEN,GER DEM REP
来源
:
JOURNAL OF RADIOANALYTICAL AND NUCLEAR CHEMISTRY-ARTICLES
|
1988年
/ 122卷
/ 02期
关键词
:
D O I
:
10.1007/BF02037769
中图分类号
:
O65 [分析化学];
学科分类号
:
070302 ;
081704 ;
摘要
:
引用
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页码:261 / 264
页数:4
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