ANOMALOUS BEHAVIOR IN GAN-ZN JUNCTIONS

被引：8

作者：

MORIMOTO, Y ^{[1
]}

USHIO, S ^{[1
]}

机构：

[1] OKI ELECT IND CO LTD,RES LAB,550-5 HIGASHI,HACHIOJI 193,TOKYO,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1974年 / 13卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.13.365

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：365 / 366

页数：2

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[1] GALLIUM NITRIDE FILMS [J].

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JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1971, 118 (07) :1200-&