INFRARED PHOTOCONDUCTIVITY DUE TO NEUTRAL IMPURITIES IN SILICON

被引:23
作者
BURSTEIN, E
OBERLY, JJ
DAVISSON, JW
机构
来源
PHYSICAL REVIEW | 1953年 / 89卷 / 01期
关键词
D O I
10.1103/PhysRev.89.331
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
收藏
页码:331 / 332
页数:2
相关论文
共 4 条
[1]  
BURSTEIN, 1950, UNPUB NAVAL RES LABO, P38
[2]  
BURSTEIN E, 1950, PHYS REV, V78, P642
[3]  
BURSTEIN E, 1951, PHYS REV, V82, P764
[4]   ELECTRICAL PROPERTIES OF PURE SILICON AND SILICON ALLOYS CONTAINING BORON AND PHOSPHORUS [J].
PEARSON, GL ;
BARDEEN, J .
PHYSICAL REVIEW, 1949, 75 (05) :865-883