EFFECTS OF VARIOUS DOPING ELEMENTS ON TRANSITION TEMPERATURE OF VANADIUM OXIDE SEMICONDUCTORS

被引:70
作者
FUTAKI, H
AOKI, M
机构
关键词
D O I
10.1143/JJAP.8.1008
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:1008 / &
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