CONTRIBUTION TO THE THEORY OF IMPURITY CENTERS IN SILICON

被引：5

作者：

BALTENSPERGER, W

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1951年 / 83卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.83.1055

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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页码：1055 / 1056

页数：2

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共 2 条

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