共 22 条
- [1] ASANABE S, 1958, MEMOIRS FACULTY SC B, V2, P136
- [2] EDMOND JT, 1956, M SEMICONDUCTORS RUG, P109
- [3] UBER DIE ELEKTRISCHEN EIGENSCHAFTEN VON INAS 3 [J]. ZEITSCHRIFT FUR NATURFORSCHUNG PART A-ASTROPHYSIK PHYSIK UND PHYSIKALISCHE CHEMIE, 1956, 11 (06): : 510 - 511
- [4] HERSTELLUNG UND ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN VON INP UND GAAS [J]. ZEITSCHRIFT FUR NATURFORSCHUNG PART A-ASTROPHYSIK PHYSIK UND PHYSIKALISCHE CHEMIE, 1955, 10 (08): : 615 - 619
- [5] FUKUROI T, 1956, OCT M PHYS SOC JAP
- [6] RESISTIVITY CHANGES IN SILICON SINGLE CRYSTALS INDUCED BY HEAT TREATMENT [J]. ACTA METALLURGICA, 1955, 3 (01): : 97 - 99
- [10] THEORY OF RESISTIVITY AND HALL EFFECT AT VERY LOW TEMPERATURES [J]. PHYSICAL REVIEW, 1950, 79 (04): : 727 - 728