LOW-TEMPERATURE POLYSILICON TFT WITH 2-LAYER GATE INSULATOR USING PHOTO-CVD AND APCVD SIO2

被引：10

作者：

MIMURA, A

SUZUKI, T

KONISHI, N

SUZUKI, T

MIYATA, K

机构：

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1988年 / 9卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/55.720

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：290 / 292

页数：3

相关论文

共 8 条

[1]

BRYER N, P JAPAN DISPLAY 86, P80

[2]

HALL JT, 1984, J ELECTROCHEM SOC, V131, P2146

[3]

MOROZUMI S, P JAPAN DISPLAY 86, P196

[4]

Morozumi S, 1984, SID 84 DIG, P316

[5]

OANA Y, 1984, SID 84, P312

[6]

Ohwada J., 1987, 1987 SID International Symposium. Digest of Technical Papers. First Edition, P55

[7]

OHWADA J, 1986, SID, P55

[8]

PETERS JW, 1980, SOLID STATE TECHNOL, V23, P121