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INFRARED ABSORPTION CHARACTERISTICS OF SOLUBLE AND INSOLUBLE PHOSPHOROUS-BEARING OXIDE LAYERS
被引:5
作者
:
CORL, EA
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0
CORL, EA
REESE, WE
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0
REESE, WE
机构
:
来源
:
METALLURGICAL TRANSACTIONS
|
1970年
/ 1卷
/ 03期
关键词
:
D O I
:
10.1007/BF02811604
中图分类号
:
TF [冶金工业];
学科分类号
:
0806 ;
摘要
:
引用
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页码:747 / &
相关论文
共 3 条
[1]
NON-DESTRUCTIVE DETECTION OF PHOSPHORUS OXIDE LAYERS ON SEMICONDUCTOR WAFERS
CORL, EA
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CORL, EA
SILVERMA.SL
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SILVERMA.SL
KIM, YS
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KIM, YS
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1966,
9
(10)
: 1009
-
&
[2]
CORL EA, 1966, SOLID STATE ELECTRON, V9, P1017
[3]
NANDA MM, 1966, 5 ANN S PHYS FAIL EL
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共 3 条
[1]
NON-DESTRUCTIVE DETECTION OF PHOSPHORUS OXIDE LAYERS ON SEMICONDUCTOR WAFERS
CORL, EA
论文数:
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CORL, EA
SILVERMA.SL
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SILVERMA.SL
KIM, YS
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KIM, YS
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1966,
9
(10)
: 1009
-
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CORL EA, 1966, SOLID STATE ELECTRON, V9, P1017
[3]
NANDA MM, 1966, 5 ANN S PHYS FAIL EL
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