HETEROEPITAXY OF A DEPOSITED AMORPHOUS-GERMANIUM LAYER ON A SILICON SUBSTRATE BY LASER ANNEALING

被引：12

作者：

GOLECKI, I ^{[1
]}

KENNEDY, EF ^{[1
]}

LAU, SS ^{[1
]}

MAYER, JW ^{[1
]}

TSENG, WF ^{[1
]}

ECKARDT, RC ^{[1
]}

WAGNER, RJ ^{[1
]}

机构：

[1] USN,RES LAB,WASHINGTON,DC 20375

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0040-6090(79)90435-8

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：L13 / L15

页数：3