ELECTRON DYNAMICS IN SHORT CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：304

作者：

RUCH, JG

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1972年 / ED19卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1972.17468

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：652 / &

相关论文

共 3 条

[1] DYNAMIC PERFORMANCE OF SCHOTTKY-BARRIER FIELD-EFFECT TRANSISTORS [J].

DRANGEID, KE ;

SOMMERHA.R .

IBM JOURNAL OF RESEARCH AND DEVELOPMENT, 1970, 14 (02) :82-&

[2] HIGH-SPEED GALLIUM-ARSENIDE SCHOTTKY-BARRIER FIELD-EFFECT TRANSISTORS [J].

DRANGEID, KE ;

SOMMERHALDER, R ;

WALTER, W .

ELECTRONICS LETTERS, 1970, 6 (08) :228-+

[3] TEMPERATURE DEPENDENCE OF TRANSPORT PROPERTIES OF GALLIUM ARSENIDE DETERMINED BY A MONTE-CARLO METHOD [J].

RUCH, JG ;

FAWCETT, W .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1970, 41 (09) :3843-&