PHOTOLUMINESCENCE OF BURIED INGAAS GROWN ON NANOSCALE INP ISLANDS BY MOVPE

被引：1

作者：

LIPSANEN, H

AHOPELTO, J

KOLJONEN, T

SOPANEN, M

机构：

[1] HELSINKI UNIV TECHNOL,OPTOELECTR LAB,SF-02150 ESPOO,FINLAND

[2] VTT ELECTR,SF-02150 ESPOO,FINLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(94)91182-7

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

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