MONOLITHIC MICROWAVE-AMPLIFIERS FORMED BY ION-IMPLANTATION INTO LEC GALLIUM-ARSENIDE SUBSTRATES

被引：19

作者：

DRIVER, MC ^{[1
]}

WANG, SK ^{[1
]}

PRZYBYSZ, JX ^{[1
]}

WRICK, VL ^{[1
]}

WICKSTROM, RA ^{[1
]}

COLEMAN, ES ^{[1
]}

OAKES, JG ^{[1
]}

机构：

[1] WESTINGHOUSE ELECT CORP,DIV SOLID STATE,PROGRAM MONOLITH INTEGRATED CIRCUIT,PITTSBURGH,PA 15235

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1981.20309

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：191 / 196

页数：6

共 6 条

[1]

CANAVELLO BJ, 1977, IBM TECH DISCLOSURE, V19

[2]

DASARO LA, 1977, IEDM TECH DIG, P370

HOBGOOD, HM ;

ELDRIDGE, GW ;

BARRETT, DL ;

THOMAS, RN .

[4]

PUCEL RA, 1979, 7TH P BIANN CORN EL, P17

TIWARI, S ;

EASTMAN, LF ;

RATHBUN, L .

[6] LIGHT-EMISSION AND BURNOUT CHARACTERISTICS OF GAAS POWER MESFETS [J].

YAMAMOTO, R ;

HIGASHISAKA, A ;

HASEGAWA, F .