READOUT SENSITIVITY OF AN AMORPHOUS SEMICONDUCTOR ELECTRON-BEAM MEMORY

被引：1

作者：

CHEN, ACM ^{[1
]}

DUNHAM, AM ^{[1
]}

WANG, JM ^{[1
]}

机构：

[1] GE CORP,SCHENECTADY,NY 12301

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1973年 / 44卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1662492

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：1936 / 1937

页数：2

相关论文

共 5 条

[1] BRUINING J, 1936, PHYSICA UTR, V3, P1046
[2] CHEM ACM, 1972, IEEE T MAG, V8, P312
[3] CHEM ACM, 1971, APPL PHYS LETT, V18, P443
[4] CHEN ACM, 1971, J NONCRYSTALLINE SOL, V8, P917
[5] Dekker A J, 1957, SOLID STATE PHYS