COMPOSITE MODEL FOR SCHOTTKY DIODE BARRIER HEIGHT

被引：4

作者：

EIMERS, GW

STEVENS, EH

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1971.17353

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1185 / &

共 7 条

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