THE DIRECT-INDIRECT TRANSITION IN GA(AS1-XPX) P-N JUNCTIONS

被引：18

作者：

HOLONYAK, N

BEVACQUA, SF

BIELAN, CV

LUBOWSKI, SJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1723569

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：47 / 49

页数：3

共 5 条

[1] BAND STRUCTURE AND TRANSPORT PROPERTIES OF SOME 3-5 COMPOUNDS [J].

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[2]

FENNER GE, UNPUB

[3] COHERENT LIGHT EMISSION FROM GAAS JUNCTIONS [J].

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SOLTYS, TJ ;

FENNER, GE ;

KINGSLEY, JD .

[4] COHERENT (VISIBLE) LIGHT EMISSION FROM GA(AS1-XPX) JUNCTIONS [J].

HOLONYAK, N ;

BEVACQUA, SF .

[5]

HOLONYAK N, 1962, METALLURGY SEMICONDU, P49