DISPERSIVE ENERGY IN SEMICONDUCTORS

被引：4

作者：

ANCE, C

机构：

[1] Laboratoire de Spectroscopie II, Université des Sciences et Techniques du Languedoc

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS | 1979年 / 94卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssb.2220940227

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

Nous avons analysé pour plusieurs semiconducterus l'énergie dispersive Ed, définie dans le modèle de Wemple et Didomenico, en relation avec les énergies covalentes et ioniques Eh et C. Une courbe continue de l'ionicité est donnée en fonction du rapport de deux énergies EA et EB reliées à Eh et C. Le modèle développé par Afromowitz, à partir des moments optiques, est appliquè au composé ternaire Ga1−xAlxSb. A partir de ces résultats, l'énergie du gap moyen Eg est donnée par Eg = D0M 0(IB)/(ϵ1(0) ‐ 1) où M 0(IB) est la contribution des transitions interbandes au moment optique M0. Copyright © 1979 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA

引用

页码：557 / 568

页数：12

共 19 条

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