AN IN-SYSTEM REPROGRAMMABLE 32K X 8 CMOS FLASH MEMORY

被引：24

作者：

KYNETT, VN

BAKER, A

FANDRICH, ML

HOEKSTRA, GP

JUNGROTH, O

KREIFELS, JA

WELLS, S

WINSTON, MD

机构：

[1] Intel Corp, Folsom, CA, USA

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1988年 / 23卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/4.5938

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

5

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页码：1157 / 1163

页数：7

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共 5 条

[1] MASUOKA F, 1984, DEC IEDM, P464
[2] MUKHERJEE F, 1985, DEC IEDM, P616
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SAMACHISA, G
SU, CS
KAO, YS
SMARANDOIU, G
WANG, CYM
WONG, T
HU, CM
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