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POROUS SILICON TECHNIQUES FOR SOI STRUCTURES
被引：25
作者：
TSAO, SS
机构：
来源：
IEEE CIRCUITS AND DEVICES MAGAZINE
|
1987年
/
3卷
/
06期
关键词：
D O I：
10.1109/MCD.1987.6323172
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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