SECONDARY RECRYSTALLIZATION IN VACUUM ANNEALED SILICON IRON

被引：5

作者：

BAER, G

GANZ, D

THOMAS, H

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1984678

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：S235 / S236

页数：2

共 7 条

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