HIGH-EFFICIENCY PROTON-ISOLATED GAAS IMPATT DIODES

被引：13

作者：

SPEIGHT, JD

LEIGH, P

MCINTYRE, N

GROVES, IG

OHARA, S

HEMMENT, P

机构：

[1] PO RES STN,DOLLIS HILL,LONDON NW2 7DT,ENGLAND

[2] UNIV SURREY,DEPT ELECT ENGN,GUILDFORD,SURREY,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19740076

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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