TUNNELING CURRENT IN ESAKI DIODES

被引:19
作者
BATES, CW
机构
来源
PHYSICAL REVIEW | 1961年 / 121卷 / 04期
关键词
D O I
10.1103/PhysRev.121.1070
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
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页码:1070 / &
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共 2 条
[1]   NEW PHENOMENON IN NARROW GERMANIUM PARA-NORMAL-JUNCTIONS [J].
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